IGBT的結(jié)構(gòu)簡介

其包括三端器件：柵極G、集電極C和發(fā)射極E（如附圖所示）；

圖中a—N溝道VDMOSFET與GTR組合——N溝道IGBT。

IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，具有很強的通流能力。

簡化等效電路表明，IGBT是GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。

RN為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。

GTR的特點——雙極型，電流驅(qū)動，有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通流能力很強，開關(guān)速度較低，所需驅(qū)動功率大。電流控制元件。

MOSFET的優(yōu)點——單極型，電壓驅(qū)動，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，電壓控制元件。

IGBT特點

柵極為電壓驅(qū)動，驅(qū)動電路簡單，所需驅(qū)動功率小。

工作頻率高，開關(guān)損耗小，在電壓1000V以上時， 開關(guān)損耗只有GTR的1/10。

承受電壓較高，載流密度大，輸入阻抗高，通態(tài)壓降小，熱穩(wěn)定性好，沒有“一次擊穿”問題。

驅(qū)動電路簡單，安全工作區(qū)大，電流處理能力強，不需要緩沖電路。

可以實現(xiàn)小電壓控制大電流。